Транзистор s8550d

Описание

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 85 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии S8550 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S8550B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 85 до 160, S8550C — в диапазоне от 120 до 200, S8550D — в диапазоне от 160 до 300.

Комплементарной парой для S8550 является транзистор S8050 c n-p-n структурой.