Транзистор 2n5551

Описание

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 80 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГ
• Корпус: TO-92

Комплементарной парой для 2N5551 является транзистор 2N5401 c p-n-p структурой.