Транзистор s8050D

Описание

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 85 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии S8050 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S8050B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 85 до 160, S8050C — в диапазоне от 120 до 200, S8050D — в диапазоне от 160 до 300.

Комплементарной парой для S8050 является транзистор S8550 c p-n-p структурой.